| 型号： | BSS8402DW-7 | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Diodes Inc | 描述： | MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 阵列 |
| BSS8402DW-7 PDF |  |
| 产品变化通告 | Encapsulate Change 09/July/2007 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 系列 | - |
| FET 型 | N 和 P 沟道 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 60V，50V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 115mA，130mA |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 7.5 欧姆 @ 50mA，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 200mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商设备封装 | SOT-363 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSS8402DWDITR |